- 49
- 7
Всем привет.
Купил и установил доп модуль памяти на 8 гб, стояло уже 4. Все характеристики одни, кроме объёма. Знаю, что желательно надо бы одного объёма ставить, но купил уже.
Проблема в том, что ноутбук не использует всю память, либо может использует, но я не понял как это. Вообщем по скринам поймёте думаю.
DIMM1: Samsung M471B5173DB0-YK0 - родная
DIMM3: AMD R538G1601S2S - поставил
В диспетчере задач отображается Память
4,0 ГБ DDR3
Скорость: 1600 МГц
Использовано гнезд: 1 из 2
Форм-фактор: SODIMM
Зарезервировано аппаратно: 80,6 МБ
Доступно 1,4 ГБ
Кэшировано 1,3 ГБ
Выделено 3,1/8,4 ГБ
Выгружаемый пул 150 МБ
Невыгружаемый пул 147 МБ
Используется (сжатая) 2,5 ГБ (69,9 МБ)
Жирным выделил.
НО в CPU-Z есть все эти 12 ГБ памяти. В итоге, в дисп.задач стоит 4гб, комп видит второй модуль, но хрен пойми как оно работает. Может дело в одно и двуканальном режиме? Гуглил, но не понял. Комп будет использовать 2 модуль или нет?
Купил и установил доп модуль памяти на 8 гб, стояло уже 4. Все характеристики одни, кроме объёма. Знаю, что желательно надо бы одного объёма ставить, но купил уже.
Проблема в том, что ноутбук не использует всю память, либо может использует, но я не понял как это. Вообщем по скринам поймёте думаю.
DIMM1: Samsung M471B5173DB0-YK0 - родная
Поле Значение
Свойства модуля памяти
Имя модуля Samsung M471B5173DB0-YK0
Серийный номер 18494D72h (1917667608)
Дата выпуска Неделя 43 / 2014
Размер модуля 4 ГБ (1 rank, 8 banks)
Тип модуля SO-DIMM
Тип памяти DDR3 SDRAM
Скорость памяти DDR3-1600 (800 МГц)
Ширина модуля 64 bit
Напряжение модуля 1.35 V / 1.5 V
Метод обнаружения ошибок Нет
Частота регенерации Норма (7.8 us)
Производитель DRAM Samsung
Тайминги памяти
@ 800 МГц 11-11-11-28 (CL-RCD-RP-RAS) / 39-208-5-12-6-6-24 (RC-RFC-RRD-WR-WTR-RTP-FAW)
@ 761 МГц 10-10-10-27 (CL-RCD-RP-RAS) / 37-199-5-12-6-6-23 (RC-RFC-RRD-WR-WTR-RTP-FAW)
@ 685 МГц 9-9-9-24 (CL-RCD-RP-RAS) / 33-179-5-11-6-6-21 (RC-RFC-RRD-WR-WTR-RTP-FAW)
@ 609 МГц 8-8-8-22 (CL-RCD-RP-RAS) / 30-159-4-10-5-5-19 (RC-RFC-RRD-WR-WTR-RTP-FAW)
@ 533 МГц 7-7-7-19 (CL-RCD-RP-RAS) / 26-139-4-8-4-4-16 (RC-RFC-RRD-WR-WTR-RTP-FAW)
@ 457 МГц 6-6-6-16 (CL-RCD-RP-RAS) / 22-119-3-7-4-4-14 (RC-RFC-RRD-WR-WTR-RTP-FAW)
@ 380 МГц 5-5-5-14 (CL-RCD-RP-RAS) / 19-100-3-6-3-3-12 (RC-RFC-RRD-WR-WTR-RTP-FAW)
Функции модуля памяти
Auto Self Refresh (ASR) Не поддерживается
DLL-Off Mode Поддерживается
Extended Temperature Range Поддерживается
Extended Temperature 1X Refresh Rate Не поддерживается
Module Thermal Sensor Не поддерживается
On-Die Thermal Sensor Readout (ODTS) Не поддерживается
Partial Array Self Refresh (PASR) Не поддерживается
RZQ/6 Поддерживается
RZQ/7 Поддерживается
Свойства модуля памяти
Имя модуля Samsung M471B5173DB0-YK0
Серийный номер 18494D72h (1917667608)
Дата выпуска Неделя 43 / 2014
Размер модуля 4 ГБ (1 rank, 8 banks)
Тип модуля SO-DIMM
Тип памяти DDR3 SDRAM
Скорость памяти DDR3-1600 (800 МГц)
Ширина модуля 64 bit
Напряжение модуля 1.35 V / 1.5 V
Метод обнаружения ошибок Нет
Частота регенерации Норма (7.8 us)
Производитель DRAM Samsung
Тайминги памяти
@ 800 МГц 11-11-11-28 (CL-RCD-RP-RAS) / 39-208-5-12-6-6-24 (RC-RFC-RRD-WR-WTR-RTP-FAW)
@ 761 МГц 10-10-10-27 (CL-RCD-RP-RAS) / 37-199-5-12-6-6-23 (RC-RFC-RRD-WR-WTR-RTP-FAW)
@ 685 МГц 9-9-9-24 (CL-RCD-RP-RAS) / 33-179-5-11-6-6-21 (RC-RFC-RRD-WR-WTR-RTP-FAW)
@ 609 МГц 8-8-8-22 (CL-RCD-RP-RAS) / 30-159-4-10-5-5-19 (RC-RFC-RRD-WR-WTR-RTP-FAW)
@ 533 МГц 7-7-7-19 (CL-RCD-RP-RAS) / 26-139-4-8-4-4-16 (RC-RFC-RRD-WR-WTR-RTP-FAW)
@ 457 МГц 6-6-6-16 (CL-RCD-RP-RAS) / 22-119-3-7-4-4-14 (RC-RFC-RRD-WR-WTR-RTP-FAW)
@ 380 МГц 5-5-5-14 (CL-RCD-RP-RAS) / 19-100-3-6-3-3-12 (RC-RFC-RRD-WR-WTR-RTP-FAW)
Функции модуля памяти
Auto Self Refresh (ASR) Не поддерживается
DLL-Off Mode Поддерживается
Extended Temperature Range Поддерживается
Extended Temperature 1X Refresh Rate Не поддерживается
Module Thermal Sensor Не поддерживается
On-Die Thermal Sensor Readout (ODTS) Не поддерживается
Partial Array Self Refresh (PASR) Не поддерживается
RZQ/6 Поддерживается
RZQ/7 Поддерживается
DIMM3: AMD R538G1601S2S - поставил
Поле Значение
Свойства модуля памяти
Имя модуля AMD R538G1601S2S
Серийный номер Нет
Размер модуля 8 ГБ (2 ranks, 8 banks)
Тип модуля SO-DIMM
Тип памяти DDR3 SDRAM
Скорость памяти DDR3-1600 (800 МГц)
Ширина модуля 64 bit
Напряжение модуля 1.5 V
Метод обнаружения ошибок Нет
Частота регенерации Норма (7.8 us)
Производитель DRAM AMD
Тайминги памяти
@ 800 МГц 11-11-11-28 (CL-RCD-RP-RAS) / 39-240-5-12-6-6-24 (RC-RFC-RRD-WR-WTR-RTP-FAW)
@ 761 МГц 10-10-10-27 (CL-RCD-RP-RAS) / 37-229-5-12-6-6-23 (RC-RFC-RRD-WR-WTR-RTP-FAW)
@ 685 МГц 9-9-9-24 (CL-RCD-RP-RAS) / 33-206-5-11-6-6-21 (RC-RFC-RRD-WR-WTR-RTP-FAW)
@ 609 МГц 8-8-8-22 (CL-RCD-RP-RAS) / 30-183-4-10-5-5-19 (RC-RFC-RRD-WR-WTR-RTP-FAW)
@ 533 МГц 7-7-7-19 (CL-RCD-RP-RAS) / 26-160-4-8-4-4-16 (RC-RFC-RRD-WR-WTR-RTP-FAW)
@ 457 МГц 6-6-6-16 (CL-RCD-RP-RAS) / 22-138-3-7-4-4-14 (RC-RFC-RRD-WR-WTR-RTP-FAW)
@ 380 МГц 5-5-5-14 (CL-RCD-RP-RAS) / 19-115-3-6-3-3-12 (RC-RFC-RRD-WR-WTR-RTP-FAW)
Функции модуля памяти
Auto Self Refresh (ASR) Не поддерживается
DLL-Off Mode Поддерживается
Extended Temperature Range Поддерживается
Extended Temperature 1X Refresh Rate Не поддерживается
Module Thermal Sensor Не поддерживается
On-Die Thermal Sensor Readout (ODTS) Не поддерживается
Partial Array Self Refresh (PASR) Поддерживается
RZQ/6 Поддерживается
RZQ/7 Поддерживается
Свойства модуля памяти
Имя модуля AMD R538G1601S2S
Серийный номер Нет
Размер модуля 8 ГБ (2 ranks, 8 banks)
Тип модуля SO-DIMM
Тип памяти DDR3 SDRAM
Скорость памяти DDR3-1600 (800 МГц)
Ширина модуля 64 bit
Напряжение модуля 1.5 V
Метод обнаружения ошибок Нет
Частота регенерации Норма (7.8 us)
Производитель DRAM AMD
Тайминги памяти
@ 800 МГц 11-11-11-28 (CL-RCD-RP-RAS) / 39-240-5-12-6-6-24 (RC-RFC-RRD-WR-WTR-RTP-FAW)
@ 761 МГц 10-10-10-27 (CL-RCD-RP-RAS) / 37-229-5-12-6-6-23 (RC-RFC-RRD-WR-WTR-RTP-FAW)
@ 685 МГц 9-9-9-24 (CL-RCD-RP-RAS) / 33-206-5-11-6-6-21 (RC-RFC-RRD-WR-WTR-RTP-FAW)
@ 609 МГц 8-8-8-22 (CL-RCD-RP-RAS) / 30-183-4-10-5-5-19 (RC-RFC-RRD-WR-WTR-RTP-FAW)
@ 533 МГц 7-7-7-19 (CL-RCD-RP-RAS) / 26-160-4-8-4-4-16 (RC-RFC-RRD-WR-WTR-RTP-FAW)
@ 457 МГц 6-6-6-16 (CL-RCD-RP-RAS) / 22-138-3-7-4-4-14 (RC-RFC-RRD-WR-WTR-RTP-FAW)
@ 380 МГц 5-5-5-14 (CL-RCD-RP-RAS) / 19-115-3-6-3-3-12 (RC-RFC-RRD-WR-WTR-RTP-FAW)
Функции модуля памяти
Auto Self Refresh (ASR) Не поддерживается
DLL-Off Mode Поддерживается
Extended Temperature Range Поддерживается
Extended Temperature 1X Refresh Rate Не поддерживается
Module Thermal Sensor Не поддерживается
On-Die Thermal Sensor Readout (ODTS) Не поддерживается
Partial Array Self Refresh (PASR) Поддерживается
RZQ/6 Поддерживается
RZQ/7 Поддерживается
В диспетчере задач отображается Память
4,0 ГБ DDR3
Скорость: 1600 МГц
Использовано гнезд: 1 из 2
Форм-фактор: SODIMM
Зарезервировано аппаратно: 80,6 МБ
Доступно 1,4 ГБ
Кэшировано 1,3 ГБ
Выделено 3,1/8,4 ГБ
Выгружаемый пул 150 МБ
Невыгружаемый пул 147 МБ
Используется (сжатая) 2,5 ГБ (69,9 МБ)
Жирным выделил.
НО в CPU-Z есть все эти 12 ГБ памяти. В итоге, в дисп.задач стоит 4гб, комп видит второй модуль, но хрен пойми как оно работает. Может дело в одно и двуканальном режиме? Гуглил, но не понял. Комп будет использовать 2 модуль или нет?